紫外光刻机正式运行通知

紫外光刻是半导体加工工艺的关键流程，该工艺通过紫外曝光和显影将掩模版的图形转移至衬底的光刻胶层。紫外光刻机又名紫外曝光机或对准曝光机，集成了紫外光源、对准系统和显微系统，可以实现掩模版图形的对准和紫外曝光。为了满足我校多学院多课题组的微纳加工需求，校分析测试中心购置了韩国Midas公司的MDA-400M型紫外光刻机一台，并在暑期期间完成了安装调试，现面向校内外用户正式运行，欢迎校内外用户预约使用！

一、设备信息

设备名称：紫外光刻机

品牌和型号：Midas MDA-400M

二、设备配置和技术指标

1、曝光系统：配置350W紫外光源，最大光束尺寸为4.25x4.25 inch，光束均匀性≤3%（4 inch），光束强度＞max 30mW/cm2 (365nm Intensity)，曝光时间0.1~999.9sec可调。
2、对准和显微系统：配置XYZTheta多维度手动样品台，移动范围XYZ~10mm，Theta±5°，对准精度约1um，配备楔形补偿技术，支持真空接触、硬接触、软接触、渐进模式等多种光刻模式。配置双CCD显微镜和显示器，可以实现80X~480X的图形放大。

3、分辨率：真空接触模式1um(for Thin PR@Si Wafer)\硬接触模式2um\软接触模式3um\20um渐进模式5um。

4、样品和掩模版尺寸：支持最大4inch晶圆，向下兼容小碎片样品。支持5inch方形掩模版。

三、光刻原理和使用案例

1、光刻原理

 

2、使用案例

 

S1800系列正性光刻胶案例（高分辨率）

 

LOR lift off光刻胶案例（lift off工艺）

 

SU8 负性光刻胶案例（高深宽比）

四、运行办法

1、收费标准：校内150元/小时，校外300元/小时。使用时间不足半小时按半小时计费，超出半小时按实际使用时间计费。光刻胶、显影液等耗材按照实际费用收取，或用户自备。工艺过程中的表征测试费用如SEM、台阶仪、膜厚仪等需要用户自行联系表征测试；

2、样品说明和要求：见预约系统紫外光刻机设备的公告栏；

3、设备测试和放置地点：长安校区实验大楼B105超净室内；

4、设备管理老师：王杰；

5、测试咨询电话：029-88430850或15929947710；

6、校外测试流程：http://atc.nwpu.edu.cn/index/cslc.htm；

7、测试中心账号管理员：阎利茹，电话029-88460440。