校分析测试中心感应耦合等离子刻蚀系统（ICPplasma etchingsystem）

开始工艺调试

等离子刻蚀技术是材料微纳加工的关键技术，是微电子、光电子、微机械、微纳米光学等制备技术的基础。为了满足我校多学院课题组的微纳加工需求，校分析测试中心购置了牛津仪器公司的PlasmaPro 100等离子刻蚀系统一套，该设备采用真空进样室可进行快速的晶片更换，我中心为配备了O₂、Ar、CHF₃、SF₆、C₄F₈、CF₄等多路工艺气体，可以支持Si、SiO₂、Si₃N₄、SiC等多种材料的刻蚀加工。本设备目前已经安装完成，并于2018年3月19日开始工艺调试，工艺调试完成后将面向全校开放运行。现对等离子刻蚀系统的具体情况进行简要介绍。

原理：等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。感应耦合等离子刻蚀系统由于等离子体源与射频加速源分离，所以等离子体密度可以更高，加速能力也可以加强，以获得更高的刻蚀速率，以及更好的各向异性刻蚀。

技术指标：

主要包含六种工艺：高速率深硅刻蚀、高深宽比深硅刻蚀、SiO₂浅刻蚀、Si3N4刻蚀和SiC刻蚀。

RF功率：bias generator 13.56MHz, 300 watt; inductively coupled plasma (ICP) generator, power: 13.56MHz, 3000 watts.

晶片尺寸：8英寸，向下兼容任意规格样品。

工艺气体：O₂, Ar, CHF₃, SF₆, C₄F₈, CF₄。

衬底温度：下电极加热模式，-30~80℃可调。

刻蚀材料：Si、SiO₂、Si₃N₄、SiC

    等离子刻蚀系统安装于我校长安校区实验大楼105室超净间内，并配套有电子束曝光系统（EBL）、酸碱有机湿台等设备，欢迎有相关需求或研究兴趣的老师和同学，请联系助理研究员王杰老师，联系电话15929947710或029-88430850，邮箱wj0702114081@foxmail.com。