校分析测试中心电子束曝光系统EBL安装调试

校分析测试中心电子束曝光系统（EBL）于3月14日完成安装，目前正在进行调试工作，该设备安装于长安校区实验大楼105室，调试结束后进入试运行，敬请期待。

我中心EBL参数如下：

品    牌：NanoBeam

型    号：nB5

简    介：电子束曝光是利用某些高分子聚合物对电子敏感而形成曝光图形，与光学曝光对应，其特点是将聚焦电子束代替光照以实现光刻胶的曝光。

主要参数：加速电压可达100kV，20-100kV内可调；束写范围：150mm × 150mm，XY方向控制精度0.31nm，最小特征尺寸10nm，扫描频率：50MHz； XY方向电子束偏转20bitDAC，步距1nm，尺寸1000µm。

亮    点：电子束曝光无需掩膜，可实现低至10nm线宽图形，是目前纳米技术研究中非常重要的纳米图形生成手段。

有相关需求或研究兴趣的老师和同学，请联系赵晨阳老师，联系电话18709265855/029-88430850，邮箱zhaochenyang@nwpu.edu.cn。