微区分析

特高分辨率场发射扫描电镜(SEM)


特高分辨率场发射扫描电镜

 

品牌:FEI

型号:Verios G4

简介:利用二次电子或背散射电子信号对金属材料、半导体材料及高分子材料等微观结构进行表面形貌及断口分析,并配合能谱仪对样品元素进行半定量分析。

 

品牌

FEI

型号

Verios G4

收费标准

校内:200/小时,校外:500/小时;

如需喷金,请在与SEM配套的长安校区离子溅射仪下面预约,收费:50/次。

指标参数

同时装有二次电子和背散射电子探测器;

配有电制冷能谱仪系统;

二次电子分辨率在最佳工作距离时分辨率:0.6nm@15kV1.2nm@0.2kV

加速电压:350V~30kV;着陆电压:20V~30kV

电子束流:0.8pA~100nA(连续可调);

物镜光阑能自加热自清洁;

电子束减速模式:-50V~ -4kV

集成等离子清洗器,可清洗样品或样品舱

主要应用

利用二次电子或背散射电子信号对金属材料、半导体材料及高分子材料等微观结构进行表面形貌及断口分析,并配合能谱仪对样品元素进行半定量分析。

放置地点

长安校区 实验大楼C109

负责人及联系方式

朱燕灵:18682928994

陈  敏:15102923976

 

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