1. TEM信息分辨率≤60 pm，STEM分辨率≤60 pm。加速电压60-300kV。放大倍数：50倍-1,000,000倍。会聚束电子衍射（CBED）：最大会聚角100 mrad，最大取出角不小于±20°。 2. 超稳定超高亮度肖特基场发射电子枪，其亮度≥ 2.9 × 109 A/cm2/Sr. @ 300kV。配备电子枪单色器，其最小能量分辨率优于0.20 eV @ 300 kV。 3. 双球差校正器：物镜球差校正器，球差校正级子在12级以上，最高优化至5级像差系数以上；聚光镜球差校正器，采用12级校正级子，同时采用轨道扩张型设计，降低球差的同时能降低色差，同样最高优化至5级像差系数以上。 4. 透镜系统：物镜采用恒功率透镜，配备三级聚光镜，同时配置对称式迷你聚光镜。物镜极靴间距：不小于5.5mm 宽的极靴间隙设计，保证三维重构杆、双倾杆以及各种原位杆的最大转动角度。 5. 扫描透射(STEM)：配置四个探头，包括HAADF探头、轴向BF探头、DF2 探头和DF4 探头；可同时采集四幅(4k x4k pixels) 来自不同角度的电子信号，明场（BF），环形明场（ABF），环形暗场（ADF）和高角环形暗场（HAADF）的图像；最大HAADF STEM 接收角：12°(半角)；HRTEM 与HRSTEM 一体化设计，可以与EDS、CMOS 相机等设备同时获取数据；STEM 放大倍数范围：150倍– 100,000,000倍；提供STEM 自动优化软件以及轻元素（原子序数低的元素）的成像技术。 6. 一体化能谱仪EDS：四个对称式电制冷能谱探头，无窗设计。所有能谱探头的上升角度一致，以保证能谱分析的准确性；探测器有效面积：≥120mm2（四探头）；固体角：≥0.7srad.；能量分辨率：≤136 eV (Mn-Ka)，；元素分析范围：B(5) – Am(95)；最高耐热温度：≥700°C，；可进行快速原子级尺寸的点、线、面的定性定量分析，全息面分布分析，具有谱峰剥离和谱峰重构功能；对于纳米级球状样品，在不转动样品的前提下，能从多角度收集X 射线性能；在同一用户界面下可以和STEM 配合，进行有漂移校正的线扫描和面扫描定性/定量分析。二者同时、连续采集数据，实时显示，并可进行事后分析；可自动完成能谱三维重构分析。 7. 三维重构样品杆和软件：三维重构软件包括数据采集、对中及重构、三维重构可视化处理三大模块完整一套；自动化数据收集系统和电子断层扫描技术，采集TEM/STEM/EDS 三维图像；最大图像漂移：X/Y 方向≤ 2 μm (±70°内倾转)；最大欠焦量变化：≤ 4um (±70°内倾转)；重复性：≤ 400 nm (样品杆重复3次进入)；能对样品杆进行初始化校准，并将所有坐标参数存储下来，供对中时用。 8. 洛仑兹透镜：安装在物镜极靴下方，保证在无场环境下对磁性样品的观察；洛仑兹模式下，可实现< 2 nm分辨率的无场成像；关闭物镜，在不调试迷你聚光镜时，样品区域的磁场<±150 Gauss (±15 mT)；在调试迷你聚光镜时，样品区域的磁场< 2 Gauss (< 0.2 mT)；配置差分相位四象限成像系统，探头的每个象限均可实现独立收集信号并成像，可以实现固有磁场和电场的测量。 9. 样品台：五轴增强型全自动压电陶瓷样品台，可存储和复位五维(x, y, z, α，β)坐标；插入低背景双倾样品杆时的最大倾斜角度：±40(α)/±30(β)；插入三维重构样品杆时的最大倾斜角度：±70°(α)；马达机械驱动移动范围：X/Y：2 mm；Z：0.75 mm；机械重复精度：X/Y/Z 方向300 nm；压电陶瓷移动范围：X/Y：1.2 μm；压电陶瓷最小移动精度：X/Y 方向20 pm；α方向0.04°；压电陶瓷样品台具有图像漂移自动校准功能，图像漂移校准精度20 pm；样品台漂移(使用标准单倾样品杆测试) ≤ 0.5 nm/min。 10. 图像记录装置：超高速高动态数字CMOS相机，采集速度不小于40帧/秒、支持动态傅立叶变换，可STEM同时、连续采集数据，所得TEM像、衍射花样等图像可以以TV模式动态显示，(可直接拍衍射)，可拍摄动态录像。像素：感应尺寸：4,096×4,096 像素，像素大小：≥14 μm × 14 μm；读取速度：30 fps @ 4k × 4k 像素；≥ 250 fps @ 512 × 512 像素；拍摄2k × 2k 录像(30 fps)时，不间断录像时间没有限制，可实时进行；拍摄4k × 4k 录像(30 fps) 时，不间断录像时间大于30 分钟；CMOS 相机常数：14 – 5700 mm。 |
