型号

Plasma   Pro 100 Cobra300

收费标准

校内：400元/h（中心工程师操作），300元/h（用户操作），培训费用500元/人；校外：1000/h

指标参数

1、反应腔室：温控精度<=±1℃；下电极控温范围不小于-30℃~80℃；

2、真空系统：工艺室极限真空优于≤9×10-7 mbar；预真空室极限真空优于0.1mbar；能够实现预真空室与工艺室之间晶片的传送；自动压力控制。

3、预抽室：Edwards nXDS15i 干泵，抽速≥15m³/hour

4、气体：O2, Ar, CHF3, SF6, C4F8,CF4 共6 路气体；质量由MFC 控制，控制精度优于1%。

5、射频电源：RF:13.56 MHz，300 W；ICP:13.56 MHz，3000 W。

6、工艺要求：刻蚀均匀性（8 寸）片内≤±5％、片与片≤±5％、批与批≤±5％。

主要应用

可用于硅，二氧化硅，氮化硅，碳化硅表面微纳结构的刻蚀。

样品要求

样品类型：只接受Si、SiO2、Si3N4、SIC样品的刻蚀

掩膜要求：要求掩膜为光刻胶或SiO2，不接受金属掩膜（金属掩膜会污染工艺腔室）。

尺寸要求：最大支持4英寸晶圆，向下兼容任意规格样品

载片要求：刻蚀SiO2或Si3N4样品需要使用Si载片，大小为4英寸晶圆。刻蚀Si样品需要使用SiO2-Si载片，大小为4英寸晶圆，刻蚀过程中SiO2层会被刻蚀，因此请使用SiO2层厚一些的载片。

不接受金属掩膜样品原因

中心等离子刻蚀系统面向全校开放，金属掩膜样品由于会污染工艺腔室，而且很难以去除，因此为了保持腔体的洁净度和工艺的稳定性，不接受金属掩膜及含有金属的样品刻蚀。

放置地点

长安校区 实验大楼B105室超净间

负责人及联系方式

王杰：159 2994 7710